ASML宣布英特尔已使用High-NA EUV光刻技术

ASML宣布，英特尔正在Intel 18A工艺上采用High-NA EUV光刻技术，生产部分代号“Panther Lake”的第三代酷睿Ultra系列处理器，成为了业界首个采用High-NA EUV光刻技术大规模生产逻辑芯片的企业。目前英特尔位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的Intel 18A生产线已完成High-NA EUV双重认证，良品率达到了现有NXE EUV平台的水平。

ASML表示，过去数十年里，与英特尔一直保持紧密合作推动光刻技术的发展，并支持半导体的持续扩展。High-NA EUV是极紫外光刻技术发展历程里非常重要的下一步，旨在为先进芯片制造提供更精确的图案化能力。未来双方将在High-NA EUV技术准备方面继续展开密切合作，并根据客户需求灵活将其整合到未来制程节点中。

2023年末，ASML向英特尔交付了首台High-NA EUV光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5000的系统。英特尔将其作为试验机，于2024年4月在美国俄勒冈州希尔斯伯勒的Fab D1X完成安装。提供0.55数值孔径，与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比，精度会有所提高，可以实现更高分辨率的图案化，以实现更小的晶体管特征。

去年末，英特尔安装了新的TWINSCAN EXE:5200B系统，属于第二代High-NA EUV，是目前全球最先进的光刻机。新系统还提升了套刻精度，达到了0.7nm，这是建立在英特尔之前一年多对High-NA EUV光刻机使用经验之上。